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Grande nouvelle : Le projet de l'équipe de Jiang Fengyi remporte le premier prix du Prix national des sciences naturelles ! Plusieurs projets dans le domaine de l'éclairage ont également reçu des récompenses

Source : 中国之光网 Lectures : 1367

Le 8 juillet 2026, les Prix nationaux de science et technologie pour l'année 2025 ont été annoncés à Pékin. Les trois grands prix ont sélectionné au total 258 projets, dont 51 projets du Prix national des sciences naturelles (3 premiers prix, 48 deuxièmes prix) ; 58 projets du Prix national d'invention technologique (3 premiers prix : 1 projet général, 2 projets spécialisés ; 55 deuxièmes prix : 40 projets généraux, 15 projets spécialisés) ; 149 projets du Prix national de progrès scientifique et technologique (3 prix spéciaux : 1 projet général, 2 projets spécialisés ; 13 premiers prix : 11 projets généraux, 2 projets spécialisés ; 133 deuxièmes prix : 108 projets généraux, 25 projets spécialisés).


Parmi eux, le domaine de l'éclairage LED a remporté plusieurs prix.


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Le projet de l'équipe de l'académicien Jiang Fengyi a remporté le Prix national des sciences naturelles Première classe



Université de Nanchang Académicien Jiang Fengyi équipe a terminé le projet "Jonction PN tridimensionnelle avec défaut en V et application" et a remporté le Prix national des sciences naturelles Premier prix.


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Le projet appartient à la recherche fondamentale appliquée, approfondissant les LED à base de GaN sur silicium , sortant de la ligne d'extension des itinéraires technologiques étrangers, traçant une nouvelle voie de R&D autonome, proposant de nouvelles méthodes théoriques, réalisant un bond dans le niveau technique, partant de la recherche fondamentale pour atteindre la commercialisation.


Le projet a découvert que dans la région du puits quantique de ce matériau, la structure tridimensionnelle de défaut en V de grande taille induite par les dislocations a des effets bénéfiques tels que l'amélioration de l'injection de trous dans le puits quantique et l'amélioration de la qualité du puits quantique, brisant la cognition traditionnelle selon laquelle "moins il y a de défauts de dislocation, mieux c'est / plus ils sont petits, mieux c'est." Il a proposé la méthode théorique de jonction PN tridimensionnelle avec défaut en V, développant l'interface de la jonction PN de deux dimensions à trois dimensions, changeant le chemin d'injection de trous dans le puits quantique des surfaces polaires à haute barrière vers des surfaces semi-polaires à basse barrière , transformant les défauts en V de ayant "un grand mal" à ayant "un petit mal", et enfin les développant pour avoir "une grande utilité." Par conséquent, améliorant considérablement l'efficacité lumineuse des LED jaunes, l'efficacité lumineuse des LED rouges à base de GaN et l'efficacité d'injection électrique des LED bleu-vert.


Le projet a ouvert une nouvelle voie technologique d'éclairage LED à puce pure (sans phosphore), avec des produits appliqués en masse dans des scénarios d'éclairage routier et de pont ainsi que d'éclairage d'ambiance. Le projet montre que les puces d'affichage sont appliquées en masse dans des équipements spéciaux. Le projet a réalisé l'intégration au niveau de la plaquette de LED à base de GaN sur silicium avec des plaquettes de circuits en silicium, développant avec succès des écrans microscopiques et les premières lunettes AR à lumière jaune .


Il est à noter que les méthodes théoriques proposées par le projet sur une voie non consensuelle ont été reconnues par des pairs internationaux et promues pour une application sur la voie consensuelle à grande échelle et à large couverture, améliorant ainsi son niveau technique et favorisant le développement des disciplines d'éclairage semi-conducteur émetteur et de l'industrie de l'affichage et de l'éclairage à semi-conducteurs (SSL).


Il est à noter que cette fois, pour la première fois dans les prix nationaux de science et technologie, trois premiers prix du Prix national des sciences naturelles ont été sélectionnés, reflétant la mise en œuvre efficace de la stratégie de la Chine visant à renforcer la recherche fondamentale et à se concentrer sur l'innovation originale.


本次获奖既是江风益院士团队在知识创新与技术创新方面交出的一份答卷,也是南昌大学全校师生践行科技自立自强的生动体现。


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Introduction aux principaux contributeurs du projet


Jiang Fengyi , Professeur à l'Université de Nanchang, Directeur du Laboratoire de Nanchang, Membre de l'Académie chinoise des sciences (Département de la science des technologies de l'information). Premier contributeur du projet. Engagé depuis longtemps dans la recherche sur les LED au nitrure de gallium sur silicium, poursuivant la lumière pendant plus de trente ans, menant l'équipe à réaliser une percée complète de la théorie de base à l'industrialisation.

Zhang Jianli, Chercheur à l'Université de Nanchang, Scientifique en chef du Laboratoire de Nanchang. Deuxième personne ayant achevé le projet.

Xu Longquan, Professeur à l'Université de Nanchang, Directeur adjoint du Laboratoire de Nanchang. Troisième personne ayant achevé le projet.

Quan Zhijue, Chercheur à l'Université de Nanchang. Quatrième personne ayant achevé le projet.

Wu Xiaoming, Chercheur à l'Université de Nanchang, Ingénieur en chef du Laboratoire de Nanchang. Cinquième personne ayant achevé le projet.

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Deuxième prix du Prix national d'invention technique


Après examen, dans les Prix nationaux de science et technologie de 2025, outre le Premier prix des sciences naturelles attribué à l'équipe de l'académicien Jiang Fengyi, plusieurs projets liés à l'éclairage à semi-conducteurs (SSL) ont également reçu des distinctions :


Nom du projet : Technologie clé du substrat pour dispositifs émetteurs de lumière à base de GaN

Principaux contributeurs : Wang Xinqiang, Zhang Guoyi, Kang Kai, Li Dongsan, Yu Tongjun, Yuan Ye
主要完成单位:北京大学、东莞市中镓半导体科技有限公司、广东中图半导体科技股份有限公司、北方华创微电子装备有限公司、松山湖材料实验室

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Les dispositifs à base de GaN émettant de la lumière ont déclenché une nouvelle révolution dans les technologies d'éclairage et d'affichage, devenant le point culminant de la compétition technologique et industrielle mondiale. Le substrat est la base fondamentale des dispositifs à base de GaN émettant de la lumière. L'équipe du projet a pris l'innovation de la technologie des substrats pour les dispositifs à base de GaN émettant de la lumière comme fil conducteur de recherche, a formé un système clé de technologie des substrats avec des droits de propriété intellectuelle indépendants, a développé une série de produits de substrats et d'équipements d'accompagnement, a considérablement amélioré les performances des dispositifs, a réalisé un bond de «être contrôlé par d'autres» à «diriger indépendamment», et a fourni un soutien solide pour que la Chine occupe une position dominante dans l'industrie mondiale de l'éclairage vert et de l'affichage.

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Nom du projet : Préparation de matériaux semi-conducteurs haute performance à base de nitrure d'aluminium et technologies clés pour puces optoélectroniques

Principaux contributeurs : Li Dabing, Sun Xiaojuan, Jiang Ke, WU LIANG, Xu Chunyang, Ben Jianwei
Unités principales réalisatrices : Institut de l'Optique, de la Mécanique Fine et de la Physique de Changchun, Académie chinoise des sciences ; société Aoqu Optoelectronics Technology (Hangzhou) Co., Ltd. ; société Chuyun Precision Engineering Technology (Shanghai) Co., Ltd.

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Ce projet surmonte la technologie de substrats à haute conductivité thermique pour les circuits intégrés radiofréquence haute fréquence, améliore considérablement la capacité de dissipation thermique des dispositifs radiofréquence haute puissance, augmente la puissance et la stabilité des équipements radiofréquence et est utilisé pour les dispositifs optoélectroniques radiofréquence haute puissance et ultraviolets.


Source du matériel : Université de Nanchang, Internet, etc., compilé de manière exhaustive


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